掃描電鏡是用聚焦電子束在試樣表面逐點(diǎn)掃描成像。試樣為塊狀或粉末顆 粒,成像信號(hào)可以是二次電子、背散射電子或吸收電子。其中二次電子是最主要 的成像信號(hào)。由電子槍發(fā)射的能量為 5 ~ 35keV 的電子,以其交 叉斑作為電子源,經(jīng)二級(jí)聚光鏡及物鏡的縮小形成具有一定能量、一定束流強(qiáng)度 和束斑直徑的微細(xì)電子束,在掃描線圈驅(qū)動(dòng)下,于試樣表面按一定時(shí)間、空間順序作柵網(wǎng)式掃描。聚焦電子束與試樣相互作用,產(chǎn)生二次電子發(fā)射(以及其它物 理信號(hào)),二次電子發(fā)射量隨試樣表面形貌而變化。二次電子信號(hào)被探測(cè)器收集 轉(zhuǎn)換成電訊號(hào),經(jīng)視頻放大后輸入到顯像管柵極,調(diào)制與入射電子束同步掃描的 顯像管亮度,得到反映試樣表面形貌的二次電子像。
影響掃描電鏡(SEM)的幾大要素
分辨率
影響掃描電鏡的分辨本領(lǐng)的主要因素有:
A. 入射電子束束斑直徑:為掃描電鏡分辨本領(lǐng)的極限。一般,熱陰極電子槍的最小束斑直徑可縮小到6nm,場(chǎng)發(fā)射電子槍可使束斑直徑小于3nm。
B. 入射電子束在樣品中的擴(kuò)展效應(yīng):擴(kuò)散程度取決于入射束電子能量和樣品原子序數(shù)的高低。入射束能量越高,樣品原子序數(shù)越小,則電子束作用體積越大,產(chǎn)生信號(hào)的區(qū)域隨電子束的擴(kuò)散而增大,從而降低了分辨率。
C. 成像方式及所用的調(diào)制信號(hào):當(dāng)以二次電子為調(diào)制信號(hào)時(shí),由于其能量低(小于50 eV),平均自由程短(10~100 nm左右),只有在表層50~100 nm的深度范圍內(nèi)的二次電子才能逸出樣品表面, 發(fā)生散射次數(shù)很有限,基本未向側(cè)向擴(kuò)展,因此,二次電子像分辨率約等于束斑直徑。
當(dāng)以背散射電子為調(diào)制信號(hào)時(shí),由于背散射電子能量比較高,穿透能力強(qiáng),可從樣品中較深的區(qū)域逸出(約為有效作用深度的30%左右)。在此深度范圍,入射電子已有了相當(dāng)寬的側(cè)向擴(kuò)展,所以背散射電子像分辨率要比二次電子像低,一般在500~2000nm左右。
如果以吸收電子、X射線、陰極熒光、束感生電導(dǎo)或電位等作為調(diào)制信號(hào)的其他操作方式,由于信號(hào)來(lái)自整個(gè)電子束散射區(qū)域,所得掃描像的分辨率都比較低,一般在l000 nm或l0000nm以上不等。
放大倍數(shù)
掃描電鏡的放大倍數(shù)可表示為M =Ac/As式中,Ac—熒光屏上圖像的邊長(zhǎng);As—電子束在樣品上的掃描振幅。一般地,Ac 是固定的(通常為100 mm),則可通過(guò)改變As 來(lái)改變放大倍數(shù)。
目前,大多數(shù)商品掃描電鏡放大倍數(shù)為20~20,000倍,介于光學(xué)顯微鏡和透射電鏡之間,即掃描電鏡彌補(bǔ)了光學(xué)顯微鏡和透射電鏡放大倍數(shù)的空擋。
景 深
景深是指焦點(diǎn)前后的一個(gè)距離范圍,該范圍內(nèi)所有物點(diǎn)所成的圖像符合分辨率要求,可以成清晰的圖像;也即,景深是可以被看清的距離范圍。
掃描電子顯微鏡的景深比透射電子顯微鏡大10倍,比光學(xué)顯微鏡大幾百倍。由于圖像景深大,所得掃描電子像富有立體感。電子束的景深取決于臨界分辨本領(lǐng)d0和電子束入射半角αc。其中,臨界分辨本領(lǐng)與放大倍數(shù)有關(guān),因人眼的分辨本領(lǐng)約為0.2 mm, 放大后,要使人感覺(jué)物像清晰,必須使電子束的分辨率高于臨界分辨率d0 :電子束的入射角可通過(guò)改變光闌尺寸和工作距離來(lái)調(diào)整,用小尺寸的光闌和大的工作距離可獲得小的入射電子角。
襯 度
襯度包括:表面形貌襯度和原子序數(shù)襯度。
表面形貌襯度由試樣表面的不平整性引起。
原子序數(shù)襯度指掃描電子束入射試祥時(shí)產(chǎn)生的背散射電子、吸收電子、X射線,對(duì)微區(qū)內(nèi)原子序數(shù)的差異相當(dāng)敏感。原子序數(shù)越大,圖像越亮。二次電子受原子序數(shù)的影響較小。高分子中各組分之間的平均原子序數(shù)差別不大;所以只有—些特殊的高分子多相體系才能利用這種襯度成像。