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影響掃描電鏡分辨率的因素有哪些

更新時(shí)間:2022-07-18    瀏覽量:4022
  臺(tái)式掃描電子顯微鏡掃描速度快,信號(hào)采集帶寬10M,可以在視頻模式下流暢實(shí)時(shí)的顯示樣品。只需鼠標(biāo)就可完成所有操作,不需對(duì)中光闌等復(fù)雜步驟,聚焦消像散后可直接拍圖。
  臺(tái)式掃描電子顯微鏡采用高集成度電子光學(xué)系統(tǒng)設(shè)計(jì)和附件集成方案,使拍攝圖片具有更高的信噪比和對(duì)比度,同時(shí)也具有更強(qiáng)的抗干擾能力。
  配合很高的信號(hào)采集帶寬,可以在視頻幀率下高質(zhì)量的流暢顯示樣品。只需鼠標(biāo)就可完成所有操作,無需光闌對(duì)中等復(fù)雜步驟。主機(jī)集成高壓及控制系統(tǒng),是目前市面上體積較小的掃描電鏡,便于移動(dòng),安裝無需特殊環(huán)境。
  分辨率指能分辨的兩點(diǎn)之間的最小距離。分辨率d可以用貝克公式表示:d=0.61l/nsina ,a為透鏡孔徑半角,l為照明樣品的光波長,n為透鏡與樣品間介質(zhì)折射率。對(duì)光學(xué)顯微鏡 a=70°-75°,n=1.4。因?yàn)?nsina<1.4,而可見光波長范圍為:400nm-700nm="" 0.5l="" d="">200nm。要提高分辨率可以通過減小照明波長來實(shí)現(xiàn)。SEM是用電子束照射樣品,電子束是一種De Broglie波,具有波粒二相性,l=12.26/V0.5(伏) ,如果V=20kV時(shí),則l=0.0085nm。目前用W燈絲的SEM,分辨率已達(dá)到3nm-6nm, 場發(fā)射源SEM分辨率可達(dá)到1nm 。高分辨率的電子束直徑要小,分辨率與子束直徑近似相等。
  影響掃描電鏡的分辨率的主要因素有:
  1.入射電子束束斑直徑:為掃描電鏡分辨率的極限。一般,熱陰極電子槍的最小束斑直徑可縮小到6nm,場發(fā)射電子槍可使束斑直徑小于3nm。
  2.入射電子束在樣品中的擴(kuò)展效應(yīng):擴(kuò)散程度取決于入射束電子能量和樣品原子序數(shù)的高低。入射束能量越高,樣品原子序數(shù)越小,則電子束作用體積越大,產(chǎn)生信號(hào)的區(qū)域隨電子束的擴(kuò)散而增大,從而降低了分辨率。
  3.成像方式及所用的調(diào)制信號(hào):當(dāng)以二次電子為調(diào)制信號(hào)時(shí),由于其能量低(小于50 eV),平均自由程短(10~100 nm左右),只有在表層50~100 nm的深度范圍內(nèi)的二次電子才能逸出樣品表面, 發(fā)生散射次數(shù)很有限,基本未向側(cè)向擴(kuò)展,因此,二次電子像分辨率約等于束斑直徑。當(dāng)以背散射電子為調(diào)制信號(hào)時(shí),由于背散射電子能量比較高,穿透能力強(qiáng),可從樣品中較深的區(qū)域逸出(約為有效作用深度的30%左右)。在此深度范圍,入射電子已有了相當(dāng)寬的側(cè)向擴(kuò)展,所以背散射電子像分辨率要比二次電子像低,一般在500~2000nm左右。如果以吸收電子、X射線、陰極熒光、束感生電導(dǎo)或電位等作為調(diào)制信號(hào)的其他操作方式,由于信號(hào)來自整個(gè)電子束散射區(qū)域,所得掃描像的分辨率都比較低,一般在l 000 nm或l0000nm以上不等。

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